دیتاشیت NSVMBT3904DW1T3G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
NSVMBT3904DW1T3G
|
| حجم فایل |
50.018
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
11
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
onsemi MBT3904DW1T3G
-
Transistor Type:
2 NPN
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
200mA
-
Power Dissipation (Pd):
150mW
-
Transition Frequency (fT):
300MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
100@10mA,1V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
-
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
40V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
300mV@50mA,5mA
-
Package:
SOT-363-6
-
Manufacturer:
onsemi
